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在材料科學(xué)與電子設(shè)備制造領(lǐng)域，薄膜技術(shù)的突破正推動(dòng)著產(chǎn)品性能的迭代升級。從柔性顯示屏的透明導(dǎo)電層到半導(dǎo)體芯片的納米級柵極氧化層，膜厚控制精度直接決定了材料的電學(xué)、光學(xué)及機(jī)械性能。膜厚測量儀作為關(guān)鍵質(zhì)量檢測工具，憑借其非接觸、高精度、快速分析...
相較上一代平臺(tái)，全新自動(dòng)掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（IQAlignerNT）產(chǎn)出率和對準(zhǔn)精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動(dòng)掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點(diǎn)對準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...
1.介紹對電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒壏庋b和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝，小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此，對于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長，以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景，需要能夠通過高級封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造（HVM）行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì)，并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。EVGroup開發(fā)了MLE™（無掩模曝...
一、優(yōu)勢簡介：MicroSense的高精度電容式位移傳在感器，除具有一般非接觸式儀器的共性外，還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強(qiáng)、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在國內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應(yīng)用，成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種非常重要的測試儀器。二、特點(diǎn)：1、可實(shí)現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測量2、分辨率可達(dá)亞納米級直至皮納米級，在所有商用電容傳感器品牌中，噪音ZUI低3、提供多種型號的探頭，以滿足高穩(wěn)定性、線性或高測量帶寬等不同需求4、...
３結(jié)果與討論３.１顯影時(shí)間影響經(jīng)過無掩模光刻機(jī)曝光后，目標(biāo)圖案已轉(zhuǎn)移至ＩＴＯ玻璃上。將ＩＴＯ玻璃放置于加熱板上進(jìn)行加熱，烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分，使光刻膠與ＩＴＯ玻璃結(jié)合更加緊密，此時(shí)，經(jīng)過曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會(huì)存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ＩＴＯ玻璃浸沒于ＳＵ－８光刻膠專用顯影液中，由于本實(shí)驗(yàn)中采用的光刻膠為負(fù)膠，因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問題是控制顯影時(shí)間。圖２為經(jīng)過不同顯影時(shí)間后，在Ｔｉ－Ｅ顯微鏡下觀察到的光刻膠...
厚度電阻率測試是一種用于測量材料電阻率的方法，它可以幫助工程師評估材料的質(zhì)量和可靠性。該測試通常通過將兩個(gè)探頭放在材料的表面上，然后測量它們之間的電阻來完成。厚度電阻率測試有以下幾個(gè)特點(diǎn)：1.非破壞性：與其他測試方法不同，它是一種非破壞性的測試方法。這意味著對于需要保留完整性、外觀或功能的材料，您可以快速檢查其電阻率而無需損壞樣品。因此，它是一種非常有用的測試方法，尤其適用于生產(chǎn)線上的大批量材料測試。2.精確性高：該測試可以提供非常準(zhǔn)確的結(jié)果。通過使用精密加工的探頭以及計(jì)算機(jī)...