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在材料科學(xué)與電子設(shè)備制造領(lǐng)域，薄膜技術(shù)的突破正推動(dòng)著產(chǎn)品性能的迭代升級。從柔性顯示屏的透明導(dǎo)電層到半導(dǎo)體芯片的納米級柵極氧化層，膜厚控制精度直接決定了材料的電學(xué)、光學(xué)及機(jī)械性能。膜厚測量儀作為關(guān)鍵質(zhì)量檢測工具，憑借其非接觸、高精度、快速分析...
微納米尺度探針在高精度薄膜電阻測試中發(fā)揮著重要的作用。這種方法可以提供更準(zhǔn)確和可靠的測量結(jié)果，為材料科學(xué)、電子器件制造等領(lǐng)域的研究和應(yīng)用提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的薄膜電阻測試方法通常使用宏觀尺寸的探針或接觸頭進(jìn)行測量，但這種方法存在一些局限性。例如，在微米甚至納米級別上進(jìn)行精確測量時(shí)，無法避免與被測樣品之間發(fā)生非破壞性接觸，并且可能會受到外界因素（如表面粗糙度）影響。因此，利用微納米尺度探針來進(jìn)行高精度薄膜電阻測試成為了一種新型解決方案。微納米尺度探針是由特殊材料制成并具有極細(xì)...
1.概述由于光刻的延遲和功率限制的綜合影響，制造商無法水平縮放，因此制造商正在垂直堆疊芯片設(shè)備，含三維集成技術(shù)。由于移動(dòng)設(shè)備的激增推動(dòng)了對更小電路尺寸的需求，這已變得至關(guān)重要，但這種轉(zhuǎn)變并不總是那么簡單。三維集成方案可以采用多種形式，具體取決于所需的互連密度。圖像傳感器和高密度存儲器可能需要將一個(gè)芯片直接堆疊在另一個(gè)芯片上，并通過硅通孔連接，而系統(tǒng)級封裝設(shè)計(jì)可能會將多個(gè)傳感器及其控制邏輯放在一個(gè)重新分配層上。2.業(yè)內(nèi)行情EVGroup業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)ThomasUhrmann認(rèn)為...
為了制備高精度的薄膜電阻測試儀，并對其性能進(jìn)行評估，可以按照以下步驟進(jìn)行研究：1.設(shè)計(jì)和制備：首先，根據(jù)需求和目標(biāo)設(shè)計(jì)并確定電阻測試儀的結(jié)構(gòu)、尺寸和材料。然后，利用相應(yīng)的加工方法（如機(jī)械加工、3D打印等）制造出所需組件或零部件。注意，在設(shè)計(jì)過程中要考慮到機(jī)械剛性、穩(wěn)定性以及與被測樣品接觸時(shí)的非破壞性。2.裝配和調(diào)試：將各個(gè)組件或零部件裝配在一起，并進(jìn)行必要的調(diào)試。確保所有組件之間有良好的連接，并能夠正常運(yùn)行。3.性能評估方法選擇：選擇適當(dāng)?shù)姆椒▉碓u估薄膜電阻測試儀的性能。以下...
隨著柔性電子學(xué)領(lǐng)域的快速發(fā)展，對柔性有機(jī)半導(dǎo)體材料進(jìn)行準(zhǔn)確地電阻測試成為一個(gè)關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)聯(lián)系式接觸方式往往會對材料產(chǎn)生損傷或干擾，而且無法對特定區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確測量。因此，開發(fā)一種非破壞性、高精度的薄膜電阻測試儀具有重要意義。設(shè)計(jì)原理：本文提出了一種基于納米壓痕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度電阻測試的方法。首先，在設(shè)計(jì)中考慮到納米級位移測量系統(tǒng)的需求，采用了高精度壓頭和位移傳感器。其次，在測試過程中，通過控制壓頭與樣品之間的接觸力，使得薄膜與導(dǎo)電底座緊密貼合，并保持穩(wěn)定的電阻值。最后，利用位移...
隨著科技的發(fā)展，對材料力學(xué)性能進(jìn)行準(zhǔn)確、可靠的表征變得越來越重要。而納米壓痕儀作為一種先進(jìn)的測試儀器，在材料力學(xué)性能表征領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。本文將探討它在這方面所具有的突出優(yōu)勢以及其應(yīng)用案例。納米硬度測試：通過使用納米壓痕儀進(jìn)行硬度測試，可以快速、準(zhǔn)確地評估材料在微觀尺度下的硬度特性。傳統(tǒng)上，硬度測試主要依賴于顯微鏡觀察和手動(dòng)測量，但這種方法存在一定局限性。相比之下，本設(shè)備利用掃描探針和高精密電子浮升系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化測量，并且可以實(shí)時(shí)記錄載荷-位移曲線數(shù)據(jù)。這使得我們不僅可以...