作為光刻工藝中zuì重要設備之一，接觸式光刻機一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高接觸式光刻機性能的關鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。

 

　　光刻意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復制”到硅片上的過程。

　　一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

　　接觸式光刻機是集成電路芯片制造的關鍵核心設備。光刻機是微電子裝備的，技術(shù)難度zuì高，單臺成本zuì大。

 

　　接觸式光刻機的種類：

　　接觸式曝光：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據(jù)施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。

　　1、軟接觸：就是把基片通過托盤吸附住，掩膜蓋在基片上面；

　　2、硬接觸：是將基片通過一個氣壓，往上頂，使之與掩膜接觸；

　　3、真空接觸：是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合。

 

　　接觸式光刻機的涂膠工藝：

　　要制備光刻圖形，首先就得在芯片表面制備一層均勻的光刻膠。 在涂膠之前，對芯片表面進行清洗和干燥是*的。

　　目前涂膠的主要方法有：甩膠、噴膠和氣相沉積 ，但應用zuì廣泛的還是甩膠。甩膠是利用芯片的高速旋轉(zhuǎn)，將多余的膠甩出去，而在芯片上留下一層均勻的膠層，通常這種方法可以獲得優(yōu)于+2%的均勻性。膠層厚度和轉(zhuǎn)速、時間、膠的特性都有關系，此外旋轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的氣流也會有一定的影響。

　　甩膠的主要缺陷有：氣泡、彗星、條紋、邊緣效應等，其中邊緣效應對于小片和不規(guī)則片尤為明顯。